Красников Геннадий Яковлевич

Советский и российский учёный в области физики полупроводников, диэлектриков, гетероструктур и полупроводниковых приборов, доктор технических наук, профессор, академик РАН (2008), президент Российской академии наук (с 2022), член Совета безопасности РФ (2024), научный руководитель АО «НИИМЭ» (с 2023).

В 1981 году с отличием окончил Московский институт электронной техники по специальности «Автоматика и электроника».
В 1981 – 1991 – инженер, ведущий инженер, заместитель главного инженера, с 1988 – заместитель директора НИИ молекулярной электроники с заводом «Микрон», с 1991 по 2016 – генеральный директор «НИИ молекулярной электроники и завод «Микрон». С 2016 по 2023 – генеральный директор НИИ молекулярной электроники. В настоящее время – научный руководитель НИИМЭ.

Избран член-корреспондентом РАН в 1997 г., академиком РАН в 2008 г. по Отделению нанотехнологий и информационных технологий РАН. В 2019-2022 гг. академик-секретарь Отделения нанотехнологий и информационных технологий РАН. В 2021 г. Избран иностранным членом Национальной академии наук Беларуси. С 2022 г. президент Российской академии наук.

Автор и соавтор более 500 научных работ в отечественных и зарубежных рецензируемых изданиях, восьми научных монографий и более 50 авторских свидетельств и патентов.

Основными направлениями научной деятельности являются исследования в области физики транзисторных структур. Г.Я. Красниковым выполнен цикл теоретических и экспериментальных исследований структурно-примесных комплексов и переноса заряда в системе Si-SiO2. Результаты исследований определили принципы и методологию физико-технологического обеспечения качества сверхбольших интегральных схем. Созданы научные и технологические основы формирования полупроводниковых структур с управляемыми и стабильными электрофизическими параметрами, что привело к существенному совершенствованию микроэлектронных технологий.

Предложенные Г.Я. Красниковым принципы формирования кремниевых транзисторных структур были также впервые использованы для создания интегральных микросхем на арсениде галлия, которые отличаются высоким быстродействием и широко применяются в аппаратуре связи, системах передачи информации и многих других.

Г.Я. Красников внес существенный вклад в исследования радиационно-стойкой электронной компонентной базы для бортовой радиоэлектронной аппаратуры ракетно-космической техники. Комплексно решена проблема создания и внедрения в бортовую радиоэлектронную аппаратуру нового поколения ракетно-космической техники наиболее критичных по стойкости к радиационному воздействию больших интегральных схем. По ключевым факторам уровень радиационной стойкости превышает мировой уровень микросхем данного класса.

Научные результаты Г.Я. Красникова легли в основу создания современного уникального комплекса по разработке и промышленному производству интегральных микросхем уровня 180-90-65 нм. в г. Зеленоград, на базе которых реализованы стратегические государственные проекты в области телекоммуникации и связи, транспорта, национальной платежной банковской системы (МИР), выпуска государственных электронных документов.

В настоящее время под руководством академика Г.Я. Красникова ведутся исследования молекулярного транзистора на новых физических принципах со сверхнизким энергопотреблением.

Г.Я. Красников является руководителем приоритетного технологического направления России «Электронные технологии», председатель научного Совета при президиуме РАН «Квантовые технологии», научного Совета при президиуме РАН по космосу, Научного Совета РАН «Фундаментальные проблемы элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для ее создания».

Заведующий кафедрой “микро и наноэлектроники” Физтех-школы электроники, фотоники и молекулярной физики в Национальном исследовательском университете “МФТИ”, кафедрой “Субмикронные технологии СБИС” в Национальном исследовательском университете “МИЭТ”.
Лауреат Государственной премии Российской Федерации в области науки и технологий (2014), трех премий Правительства Российской Федерации в области науки и техники (1999, 2009, 2019).

Награжден орденом «Александра Невского» (2018), орденом «За заслуги перед Отечеством» III ст. (2023), орденом «За заслуги перед Отечеством» IV ст. (2008), Орденом Почета (1999) орденом Дружбы (2014).