Мокеров Владимир Григорьевич (2 мая 1940 года — 23 сентября 2008 года)

Cоветский и российский физик, доктор физико-математических наук, профессор, член-корреспондент АН СССР (1990), член-корреспондент РАН (1991). Основатель и первый директор Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН (ИСВЧПЭ РАН), носящего теперь его имя. Создатель научной школы в области гетероструктурной СВЧ электроники. Автор 350 научных работ и 12 изобретений.

В 1963 году окончил Физический факультет Ленинградского государственного университета и поступил на должность инженера в НИИ Молекулярной электроники. В 1967 году обнаружил аномальные явления при фазовом переходе полупроводник-металл в плёнках окислов ванадия. С 1967 по 1988 год преподавал в Московском институте электронной техники (МИЭТ). В 1977 году возглавил отдел изучения эпитаксиальных структур НИИМЭ. В 1984 году в отделе В.Г. Мокерова создан первый в СССР полевой транзистор на основе гетероструктуры GaAs/GaAlAs.

В середине 1980-х годов был главным технологом Министерства электронной промышленности СССР по операционному контролю технологии больших интегральных схем. Его работы в этот период внесли значительный вклад в повышение качества и уровня отечественного производства микросхем. В 1988 году перешел на работу в Институт радиотехники и электроники АН СССР на должность руководителя Отдела Микро- и наноэлектроники. Преподавал в Московском физико-техническом институте. В 1991 году переходит на преподавательскую работу в Московский институт радиотехники, электроники и автоматики (МИРЭА), возглавив кафедру «Полупроводниковых приборов». С 1991 года — заместитель директора ИРЭ РАН по научной работе. В 1994 году в Отделе Мокерова созданы первые российские транзисторные структуры с квантовой ямой InGaAs/GaAs.

В 2002 году постановлением Президиума РАН был основан Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН), директором которого был назначен В. Г.Мокеров. В 2006 году институтом впервые в России разработана и изготовлена монолитная интегральная схема трехкаскадного малошумящего усилителя на гетероструктурах AlGaAs/InGaAs/GaAs. В 2006—2008 году под руководством В.Г. Мокерова в ИСВЧПЭ РАН начато освоение отечественной технологии изготовления транзисторов на широкозонной гетеросистеме AlGaN/GaN, увенчавшееся созданием транзисторов с 170 нм затвором, граничной частотой усиления по току 48 ГГц, по мощности — 100 ГГц и выходной мощностью более 4 Вт/мм. В 2008 году впервые в России разработаны и изготовлены высокотемпературные и радиационно-стойкие СВЧ транзисторы на гетероструктурах AlGaN/GaN с пробивным напряжением свыше 100 В., максимальной удельной мощностью не менее 4,5 Вт на один миллиметр длины затвора и предельной частотой усиления по мощности 110 ГГц, а также грибообразный затвор длиной 100 нм.

26 февраля 2008 года в Национальном исследовательском ядерном университете «МИФИ» создана кафедра Физики наноразмерных гетероструктур и СВЧ наноэлектроники, заведующим которой был назначен В.Г. Мокеров.

Лауреат Премии Правительства РФ в области науки и техники (2000). Награждён орденом Почета (2001), орденом «Дружбы народов» (1986).