Я поступил на работу в НИИМЭ 4 марта 1966 года и тружусь здесь вот уже 57 лет. После окончания Московского Энергетического института (факультет «Электронной техники», кафедра «Полупроводники и полупроводниковые приборы»). Меня приняли на должность инженера. Через несколько лет повысили до старшего инженера, ведущего инженера –руководителя группы. Затем я стал начальником лаборатории Спецвоздействий, созданной по приказу Камиля Ахметовича Валиева 1 апреля 1969 года. В этой лаборатории проводились работы по исследованиям влияния внешних факторов, включая ионизирующие излучения, на параметры микросхем. Затем я был назначен начальником  отдела Надежности, который возглавлял около 12 лет. Отдел включал в себя три лаборатории: Надежности, Тепловых процессов и Спецвоздействий. Со временем отдел реформировали в новую лабораторию Надежности, куда влились остатки трех прежде существовавших коллективов, а затем лабораторию перевели в испытательный отдел завода «Микрон». В результате дальнейших преобразований это направление работ было передано в Отдел Новых продуктов завода, где меня назначили ведущим инженером-технологом. При этом основная задача подразделения –  решение комплексной проблемы исследований и испытаний изделий на внешние воздействия – в основном, на ионизирующее излучение. Испытания проводятся на специализированных источниках, которых на нашем предприятии, разумеется, нет. Поэтому работа велась и ведется во внешних организациях, где есть испытательная база и нужные источники излучения. Следует отметить, что исследования и испытания микросхем проводятся во взаимодействии со специалистами НИИМЭ. Такие работы – это длительный и весьма затратный процесс.

Мой первый проект в НИИМЭ был посвящен оптимизации работ по исследованиям и испытаниям микросхем предприятия на воздействие ионизирующих излучений.

Когда в лаборатории Спецвоздействий начались эти работы  – весьма трудоемкие, требовавшие привлечения сторонних организаций и немалых финансовых затрат, мы молодые сотрудники, уже начавшие заочно учиться в аспирантуре, предложили, а потом и осуществили разработку расчетных методов оценки стойкости. Я был и разработчиком и руководителем этого проекта.

Совместно с представителями заказчика мы разработали два отраслевых стандарта, которые опирались на знания о физических взаимодействиях материалов микросхем с ионизирующим излучением. У нас были программы расчета параметров микросхем на ЭВМ. Один стандарт назывался «Оценка стойкости микросхем к непрерывным видам ионизирующих излучений», а второй «Оценка стойкости микросхем к импульсным видам ионизирующих излучений». Это было в 1970 годах. В то время микросхемы были относительно малой степени интеграции, что позволяло нам на основе предыдущей информации: экспериментальных, литературных и прочих данных проводить расчеты, которые заменяли дорогие и долгие эксперименты. Правда, представители заказчика не всегда соглашались, что такая оценка может заменить эксперимент. Когда наши микросхемы шли в ответственную аппаратуру, заказчики все равно хотели экспериментального подтверждения их надежности и сами наблюдали за ходом испытаний. Потом эти данные шли в технические условия, и в дальнейшем потребители могли ориентироваться на них, а также на данные протоколов испытаний.

Самым интересным для меня проектом стала собственная диссертация, построенная на исследованиях по оценке стойкости микросхем в условиях ионизирующих излучений.  В ходе работы над диссертацией проводились исследования, испытания, готовились отчеты по их результатам, которые я представлял доклады на научно-технических конференциях. Кроме того, готовил статьи и публиковал их в закрытой печати по теме «исследование влияния ионизирующих излучений». Затем я защитил диссертацию и получил звание кандидат технических наук.

В числе наиболее значимых проектов, в которых мне довелось участвовать, вспоминаются следующие. Во-первых, федеральная целевая программа, в которой участвовало НИИМЭ: «Развитие электронной компонентной базы радиоэлектроники на 2001-1015 годы». У нас были следующие ОКР: «Память», «Память-1», «Память-2», «Логика-2». Во-вторых, у нас была программа совместно с союзным государством Беларусью – разработка и освоение серии интегральных микросхем специального назначения двойного применения. ОКР: «Основа Память-1», «Основа Память-2» и «Основа Память-3». В Беларуси в Минске есть довольно мощное предприятие «Интеграл». Совместно с ним мы проводили работы по созданию целого ряда серий микросхем, которые шли потом в оборонную технику.

Считаю, мне повезло, что я начал работать в НИИМЭ, мои ожидания полностью оправдались. По десятибальной шкале я оценил бы степень своей удовлетворенности на 9… да почти на 10 баллов. Здесь я приобрел значительный опыт в области разработки интегральных микросхем, технологии их производства, а также исследования и испытания готовых изделий. Так случилось, что придя на предприятие, я стал работать в этом направлении, и всю жизнь продолжаю им заниматься. Все серии микросхем, которые выпускал и выпускает завод «Микрон» прошли в ходе их испытания на внешние воздействия через мои руки. По результатам этих исследований я опубликовал совместно с другими авторами порядка 120 статей в закрытых технических журналах, например в «Специальных вопросах атомной науки и техники». Оформил 15 заявок на изобретения.

Моим научным руководителем был академик АН Белоруссии Коршунов Фёдор Павлович.  Вместе с ним и еще одним коллегой мы выпустили монографию «Радиационная стойкость интегральных микросхем». Это, можно сказать, настольная книга для аспирантов и студентов, осваивающих наше направление. Также были подготовлены учебные пособия для вузов –  Таганрогского радиотехнического института,  МИФИ.

Комплекс наших работ проводился при участии академических институтов: Московского института электронной техники (МИЭТ), Московского инженерно-физического института (МИФИ), Московского института стали и сплавов (МИСИС), Таганрогского радиотехнического института, а также молдавского филиала нашего предприятия в   Кишиневе.

На начальном этапе работ по исследованиям и испытаниям микросхем необходимо было укомплектовать лабораторию специалистами. В силу специфики выполняемых работ: технические сложности, частые командировки на две-три недели в другие города – не каждый на такое согласится. Поэтому мы целенаправленно готовили специалистов для выполнения этих работ. Ежегодно у нас проходили практику и готовили дипломные работы студенты из МИЭТа, а также из МИСИС. Был период, когда в лаборатории работало трое студентов-дипломников из Кишинева – из Политехнического института. К сожалению, не все, кто выполнял дипломные работы, став молодыми специалистами, продолжили трудиться у нас в лаборатории. Тем не менее, такая «кадровая политика» давала хороший результат.

За годы, проведенные на предприятии, и во многом благодаря специфике нашей работы, я приобрел немало друзей во внешних организациях, в учебных заведениях. Это был интересный научный и жизненный опыт, хорошая школа во всех отношениях. Расширению круга общения способствовало и то, что по нашей тематике ежегодно проводились научно-технические конференции – в Москве и в других городах России.

У меня и в институте много друзей – не только соратников-специалистов, с которыми складывается приятное и плодотворное сотрудничество, но и просто душевно-близких людей, к которым можно обратиться за помощью и поддержкой в житейских делах. То есть работа во многом сформировала и внерабочее дружеское окружение.

Первым директором НИИМЭ, под началом которого мне довелось работать, был Камиль Ахметович Валиев – выдающийся учёный, один из основателей отечественной Микроэлектроники. Это был период создания научной, технологической и производственной базы интегральных микросхем. Обстановка в институте была демократичная, творческая. В процессе работы мне довелось контактировать и со следящим директором НИИМЭ Геннадием Яковлевичем Красниковым – крупным учёным, создателем технологической базы производства интегральных микросхем. Немало общался я и Евгением Сергеевичем Горневым – заместителем директора по науке, по взаимодействию с МИФИ, с МИЭТ. С Николаем Алексеевичем Шелепиным мы плотно взаимодействовали лет десять при выполнении опытно-конструкторских и научно-исследовательских работ. Хочется также отметить совместную плодотворную работу с ведущими специалистами НИИМЭ – Неклюдовым В.А., Овчинниковым В.В., Евдокимовым В.Л., Хрусталёвым В.А., и рано ушедшими Дракиным К.А. Считаю, мне повезло, что работа свела меня с такими специалистами.  

Среди молодых коллег и учеников, которых было немало, с особенной теплотой вспоминаю несколько имен. Вот, например, Александр Медведев из МИСИС – он пришел к нам в лабораторию студентом делать диплом, и после того проработал года два. Активный, дисциплинированный, много знающий молодой специалист, который принес нашей лаборатории большую пользу.

В последнее время студентов-дипломников у нас нет, но хорошие молодые ребята все же попадают в поле зрения. В 2018 году к нам пришли дипломники из МИЭТа, и среди них был Никита Матвеев – очень толковый парень.  Я сформулировал для него тему работы в рамках нашего направления, и он не только справился с ней, но и участвовал в разработке одной из микросхем. В итоге, мы подготовили научную статью, и он выступил на ежегодной всероссийской конференции в Лыткарино по проблеме радиационной стойкости. Сейчас он трудится в НИИМЭ у разработчиков

В канун юбилея института, хочу пожелать… Когда-то Камиль Ахметович Валиев на одном из юбилейных мероприятий пожелал институту быть похожим на крокодила потому, что крокодил смотрит только вперед.

Так вот, я тоже хочу пожелать НИИМЭ двигаться только вперед, по пути прогресса, несмотря на все трудности и санкционные препоны. Желаю нашему институту новых перспективных разработок, коллективу – творческого подъема, а молодежи – бережного отношения к сложившимся у нас традициям и вдумчивого совершенствования всего того, что было создано здесь за шесть десятилетий.