Президент РАН
Научный руководитель АО «НИИМЭ»
Опережая время,
создаем будущее...
АО «НИИМЭ» : 60 лет
в центре микроэлектроники
Г. Я. Красников
9 марта наш НИИ молекулярной электроники отмечает свой 60-летний юбилей.
За эти годы мы прошли большой и сложный путь, наполненный уникальными достижениями и высокими оценками нашей работы. На разработанных НИИМЭ микросхемах строилась важнейшая для страны аппаратура: ЭВМ СМ, «Эльбрус», «Ряд» и «Булат», предназначенные для решения стратегических проблем народного хозяйства СССР и стран СЭВ, обороны страны. Были разработаны комплекты микросхем для ракетных комплексов С-300 и С-400, бортовых систем на спутниках, межпланетных космических аппаратов «Марс» и «Венера», космического комплекса «Энергия-Буран», самолетов МиГ-29 и Су-27, радиолокационных систем, промышленной и бытовой аппаратуры.
В 2000-е годы мы продолжили исследования в области формирования основ промышленной технологии производства микросхем: технологические процессы, оборудование, методы и средства моделирования, проектирования, диагностики, контроля и производства. Созданные в НИИМЭ технологии и элементная база с энергонезависимой памятью стали основой для стратегически важных государственных проектов в области идентификации, связи, транспорта, финансов.
Наш институт продолжает развивать научные школы, ведет передовые разработки в области новых технологических процессов и физики полупроводников, радиофотоники, многофункциональной электроники. В последние годы новым направлением исследований для НИИМЭ стало изучение нейроморфных систем, методов машинного обучения, разработка мемристивных элементов в качестве элементной базы для реализации нейроморфных вычислений.
Сегодня мы с вами становимся свидетелями больших, глобальных трансформаций, которые для России оборачиваются серьёзными вызовами, связанными с обеспечением технологической независимости страны. И в формировании ответов на эти вызовы НИИМЭ будет играть одну из ведущих ролей. Впереди у нас много работы, и я уверен, что наш коллектив как всегда справится со всеми поставленными задачами.
Поздравляю всех сотрудников и ветеранов НИИМЭ с 60-летием института! Желаю крепкого здоровья, благополучия и новых трудовых успехов на благо нашей Родины!
А. С. Кравцов
Генеральный директор АО «НИИМЭ»
Уважаемые сотрудники АО «НИИМЭ»! Дорогие коллеги!
От всей души поздравляю Вас со знаменательным событием – 60-летием со дня основания института!
За эти годы НИИМЭ внес неоценимый вклад в развитие микроэлектронной отрасли нашей страны. Мы по праву гордимся славным трудовым прошлым института и уверенно смотрим в будущее.
НИИМЭ сегодня – это высокотехнологичное предприятие, признанный лидер микроэлектронной отрасли, обладающий мощной научной школой и современными технологиями для разработки и производства элементной базы стратегически важных государственных проектов.
Наряду с заслуженными специалистами с колоссальным опытом работы, навыками и знаниями, начавшими свой трудовой путь еще в СССР, в НИИМЭ сегодня работает новое поколение специалистов и исследователей, которые привносят в работу института энергию и творческий поиск. Этот ценный сплав опыта и молодости дает нам возможность уверенно сохранять статус ведущей организации отечественной микроэлектроники.
Стратегия развития НИИМЭ интегрирована в стратегию развития электронной промышленности России и ориентирована на обеспечение технологической независимости, безопасности её ключевых отраслей. С каждым годом мы расширяем сферу нашей деятельности, ведем исследования в новых областях, разрабатываем технологии и продукты на передовом мировом уровне, расширяем возможности использования существующих наработок.
Сегодня перед НИИМЭ поставлены большие задачи, связанные с обеспечением технологической независимости России, и они успешно решаются сплоченным профессиональным коллективом благодаря нашим компетенциям и мощной научной школе.
Дорогие коллеги, примите мои самые искренние поздравления со славным юбилеем института и пожелания крепкого здоровья, благополучия, успехов и новых достижений в созидательном труде на благо Отечества!
Наша история
НашИ ДОСТИЖЕНИЯ
В НИИМЭ в 1960-е годы были разработаны и созданы первые в стране:
· эпитаксиально-планарная технология с комплектом оборудования;
· плазмохимические процессы в технологии изготовления ИС;
· совмещенная технология изготовления ИС;
· планарная технология арсенид-галлиевых микросхем;
· технология изготовления кремниевых ИС на МОП-транзисторах;
· цифровые (ТТЛ) и аналоговые ИС массового применения;
· кристаллы быстродействующих ИС эмиттерно-связанной логики (ЭСЛ);
· технологии проектирования и производства базовых матричных кристаллов СБИС.
· ИС на полевых транзисторах с затвором Шоттки и приборами Ганна в одном кристалле
В 1966 году в НИИМЭ была разработана интегральная схема по теме «Иртыш» на 2-х биполярных транзисторах, на неё были выпущены первые технические условия, и она первой пошла в серийное производство. В дальнейшем она получила обозначение «микросхема серии 101» и стала первой в СССР микросхемой, зарегистрированной в реестре: все отечественные каталоги микроэлектронных изделий, начинались с серии 101 и микросхемы 101КТ1. Микросхема долгое время пользовалась большим спросом у разработчиков и изготовителей радиоэлектронной аппаратуры.
30 декабря 1967 года ЦК КПСС и Советом министров СССР было выпущено совместное постановление о разработке Единой Серии Электронных Вычислительных Машин. НИИМЭ был определен головным предприятием по обеспечению ЕС ЭВМ интегральными микросхемами. Предприятием в кратчайшие сроки была разработана новая элементная база интегральных схем транзисторно-транзисторной и эмиттерно-связанной логики, электрически программируемых ПЗУ и ПЛМ. К началу 1980-х годов ежегодный выпуск ЕС ЭВМ составлял 800-1200 единиц в самой различной комплектации.
За разработку элементной базы для ЕС ЭВМ Указом Президиума Верховного Совета СССР от 12 апреля 1983 г. «НИИМЭ и завод «Микрон» награжден орденом Трудового Красного Знамени.
В начале 1970-х в НИИМЭ была разработана и внедрена первая в отрасли система автоматического проектирования больших интегральных схем (САПР БИС). Система представляла собой иерархическую трехуровневую организационную структуру на базе отечественных ЭВМ БЭСМ-6 и в дальнейшем «Эльбрус», включавшую высокопроизводительную аппаратуру сопряжения и автоматизированные рабочие места проектировщиков. Микроэлектроника стала первой отраслью, где без предсказательного моделирования развитие стало невозможным. Кульманы ушли в прошлое, их заменили дисплеи и программно-управляемые координатографы.
В 1972 году впервые в отрасли разработанная в НИИМЭ одна из самых массовых на тот период серий микросхем К155 была аттестованы на высшую категорию качества – ей был присвоен «Знак качества» СССР.
В начале 1980-х в НИИМЭ была разработана одна из наиболее надежных серий – 533 для цифровой системы управления ракетно-комического комплекса «Энергия-Буран». 15 ноября 1988 года после запуска с космодрома «Байконур» космический корабль «Буран» в полностью автоматическом режиме совершил два витка вокруг Земли и успешно приземлился спустя 205 минут. Это стало несомненным триумфом советской космонавтики, впервые в мире сумевшей посадить многоразовый космоплан в автоматическом режиме на землю. Успех полета зависел от действий бортового компьютера и работы наземных систем навигации.
В 2007 году предприятием была освоена технология производства ИС с энергонезависимой памятью EEPROM технологического уровня 180 нм. В числе первых разработок – чипы для электронных паспортов и социальных карт, бесконтактных транспортных билетов. Реализация этого проекта позволила выйти на совершенно новый уровень технологии, совершив технологический скачок сразу через несколько поколений микроэлектронной техники и встать в один ряд с ведущими мировыми производителями.
В 2011 году НИИМЭ был разработан первый кристалл микроконтроллера для транспортных приложений, модификации которого используется сегодня во всех проездных билетах транспортной сети Москвы и других регионов России. К настоящему времени количество билетов для различных видов транспорта, произведенных на базе разработанных в НИИМЭ микроконтроллеров, уже превысило 3 миллиарда штук.
В 2012 году было освоено производство интегральных схем на основе технологии с проектными нормами 90 нм на пластинах диаметром 200 мм. На базе постановки технологии 90 нм была создана платформа для дальнейшего масштабирования топологических размеров до 65 нм, а затем до 45 нм. Первой продукцией, разработанной по 90 нм технологии, стали схемы памяти для различных блоков и устройств вычислительных систем аэрокосмической аппаратуры.
В 2012 году научный коллектив АО «НИИМЭ» разработал отечественный чип «Универсальной Электронной Карты» (УЭК) с оригинальным программным обеспечением для банковских и идентификационных смарт-карт, не имеющий аналогов в стране. В 2012 году реализована и сертифицирована виртуальная машина JavaCard для использования в УЭК и разработана оригинальная технология верификации владельца карты по биометрической информации в паспорте. Смарт-карты, разработанные АО «НИИМЭ» с собственным программным обеспечением на равных конкурируют с аналогичными продуктами ведущих мировых производителей, что подтверждается полученными международными сертификатами, в том числе сертификационным органом международных платежных систем EMVCo для использования в качестве банковской карты наряду с аналогичными изделиями семи других компаний в мире.
В 2012 году в связи с переходом в России на электронные паспортно-визовые документы международного образца в НИИМЭ был разработан микроконтроллер с бесконтактным интерфейсом и поддержкой российских и международных стандартов криптографии для государственных удостоверений личности. Этот микроконтроллер используется во всех российских загранпаспортах и планируется к использованию во всех перспективных типах электронных документов. Разработанный НИИМЭ микроконтроллер хранит в электронном виде биометрическую информацию о владельце и имеет многоуровневую систему пассивной и активной защиты от несанкционированного чтения и изменения информации, обеспечивая надежное хранение персональных данных граждан и информационную безопасность. За период с 2013 года было произведено более 15 млн. микроконтроллеров для государственных идентификационных документов.
В 2015 году в НИИМЭ был разработан самый технологически сложный и критичный элемент электронных платежных систем, обеспечивающий надежность банковской карты и безопасность транзакций на аппаратном уровне. - банковский чип для Национальной Системы Платежных Карт «МИР». На тот момент лишь 6 компаний в мире обладали необходимыми технологиями и опытом разработки такого сложного электронного продукта.
В апреле 2016 года был начат массовый выпуск банковских карт НСПК «МИР» на банковском чипе отечественной разработки и производства. Банковский чип, разработанный НИИМЭ, был признан лучшим отечественным изделием микроэлектроники в отраслевом конкурсе «Золотой чип» в номинации «Импортозамещение». Разработанные НИИМЭ микрочипы сегодня являются основой безопасного функционирования национальной платежной системы, обеспечивают надежное хранение персональных данных, информационную безопасность граждан, финансовую и технологическую независимость государства.
В апреле 2016 года был начат массовый выпуск банковских карт НСПК «МИР» на банковском чипе отечественной разработки и производства. Банковский чип, разработанный НИИМЭ, был признан лучшим отечественным изделием микроэлектроники в отраслевом конкурсе «Золотой чип» в номинации «Импортозамещение». Разработанные НИИМЭ микрочипы сегодня являются основой безопасного функционирования национальной платежной системы, обеспечивают надежное хранение персональных данных, информационную безопасность граждан, финансовую и технологическую независимость государства.
В 2013 году НИИМЭ были выполнены научные и технологические работы по разработке технологии производства транзисторных структур технологического уровня 65-нм. Были произведены тестовые образцы транзисторов и кольцевых генераторов. Путь от 0,8 микрон до 65 нанометров был пройден всего за 8 лет, что практически в 2 раза быстрее, чем это потребовалось в свое время ведущим мировым компаниям-производителям микроэлектроники. Проект был удостоен премии «CNews AWARDS 2014» в номинации «Российские технологии», а также общероссийской независимой премией «Золотой Чип 2014» в номинации «За вклад в развитие российской электроники».
В 2016 году НИИМЭ Постановлением Правительства РФ было определено головным предприятием приоритетного технологического направления «Электронные технологии». Это событие вывело деятельность института на новый уровень, подчеркнуло значимость и высокий потенциал научной деятельности. В новом статусе НИИМЭ осуществляет координацию деятельности научных и производственных учреждений микроэлектронной отрасли России по разработке и применению отечественной элементной базы в электронных изделиях российского производства.
В 2021 году АО «НИИМЭ» создало единственную в России физико-химическую аналитическую лабораторию мирового уровня для проведения исследований в области контроля качества технологических сред. В мире действуют единицы подобных лабораторий, в Европе - не более трех. В России, странах СНГ и Восточной Европы это первая лаборатория подобного уровня исследований, выполняющая ультраследовые анализы для нужд разработок и производства.
В задачи лаборатории входит определение материалов, носящих общеотраслевой стратегический характер, и необходимых для организации производства в микроэлектронной, фармацевтической, химической, биотехнологической, атомной и других отраслях промышленности, составление технических требований и рекомендаций к их использованию, а также проведение анализа и сертификации этих веществ. Лаборатория выполняет анализы жидких сред и химреактивов, используемых в производстве, на предмет обнаружения в них примесей в предельно малых концентрациях (следовых и ультраследовых) и уже разработала более 100 собственных методик, оформленных согласно требованиям ГОСТ Р8.563-2009.
К настоящему времени освоено производство трех материалов и ведется разработка еще 12 материалов. В их числе необходимые для производства микросхем фоторезисты - светочувствительные к актиничному излучению с длинами волн 193 нм и 248 нм. Эти фоторезисты являются основными в производстве интегральных микросхем с проектными нормами 180-90 нм.
Лаборатория размещается в чистых производственных помещениях с классами чистоты 5-7 ИСО и оснащена всей необходимой инфраструктурой и современным аналитическим оборудованием: масс-спектрометром с индуктивно связанной плазмой, атомно-абсорбционным спектрометром с графитовым амортизатором, ионными хроматографами, автоматическими титраторами, хроматомасс-спектрометрами, системой очистки кислот, установкой доочистки деионизованной воды и др.
В лаборатории работают высококвалифицированные специалисты – выпускники РХТУ им. Д.И. Менделеева, МГУ им. М.В. Ломоносова, МИТХТ им. М.В. Ломоносова и других вузов, которые делятся опытом использования современного аналитического оборудования вблизи пределов обнаружения
Программно-аппаратный комплекс «Звезда» предназначен для криптографической защиты информации в Интернете вещей. ПАК состоит из микросхемы, интегрируемой в конечные устройства и криптографического сервера, обеспечивающего защиту канала обмена с конечными устройствами и управление криптографическими ключами. ПАК «Звезда» поддерживает современные криптографические алгоритмы ГОСТ Р34.10-12, ГОСТ Р34.11-12, ГОСТ Р34.12-15, ГОСТ Р34.12-15. Управление ключами осуществляется наиболее безопасным методом – с использованием инфраструктуры открытых ключей. Конечное устройство способно подписывать передаваемые данные электронной подписью. Для беспроводных сетей на основе технологии NB IoT криптографическая микросхема интегрируется с радиомодемом. ПАК «Звезда» отвечает требованиям, предъявляемым к СКЗИ класса KC3 и способен обслуживать критическую инфраструктуру. На стороне конечного устройства используется российская микросхема первого уровня, т.е. разработанная и произведенная в России.
НАУЧНАЯ
ШКОЛА
С момента основания НИИМЭ развивал собственную научную школу: в разное время в институте работали академики АН СССР и Российской академии наук: К.А. Валиев, Ю.В. Копаев, Г.Я. Красников, А.Л. Стемпковский, члены-корреспонденты Б.В. Баталов, Е.С. Горнев, Б.Г. Грибов, В.Г. Мокеров.
Валиев Камиль Ахметович
Советский и российский физик
Советский и российский физик, доктор физико-математических наук,профессор, первый директор НИИ молекулярной электроники, научный руководительФизико-технологического института РАН, академик АН СССР, академик РАН
Копаев Юрий Васильевич
Советский и российский физик
Советский и российский физик, член-корреспондент АН СССР, академик РАН, доктор физико-математических наук, профессор, директор отделения физики твёрдого тела Физического института имени П. Н. Лебедева РАН. Основные работы Ю.В. Копаева лежат в области физики полупроводников и теории сверхпроводимости
Красников Геннадий Яковлевич
Советский и российский учёный
Советский и российский учёный в области физики полупроводников, диэлектриков, гетероструктур и полупроводниковых приборов, доктор технических наук, профессор, академик РАН (2008), президент Российской академии наук (с 2022), член Совета безопасности РФ (2024), научный руководитель АО «НИИМЭ» (с 2023)
Стемпковский Александр Леонидович
Российский учёный
Российский учёный, академик РАН (2006), доктор технических наук, профессор; директор (1992—2017), научный руководитель (с 2018) Института проблем проектирования в микроэлектронике РАН (ИППМ РАН). Один из ведущих российских ученых в области автоматизации проектирования микроэлектронных схем и новых вычислительных технологий
Баталов Борис Васильевич
Советский учёный
Советский учёный, член-корреспондент АН СССР (1987), доктор физико-математических наук, профессор. Специалист по моделированию, оптимизации и синтезу электрических схем и топологии больших и сверхбольших интегральных схем, и радиоэлектронной аппаратуры на их основе
Горнев Евгений Сергеевич
Советский и российский учёный
Советский и российский учёный, специалист в области микро- и наноэлектроники, метрологического обеспечения измерений длины в микрометровом и нанометровом диапазонах. Доктор технических наук, профессор, член-корреспондент РАН (2019)
Грибов Борис Георгиевич
Советский и российский химик
Советский и российский химик, специалист в области создания специальных материалов для электронной техники, доктор химических наук, профессор, член-корреспондент АН СССР (1984), член-корреспондент РАН (1991)
Мокеров Владимир Григорьевич
Советский и российский физик
Советский и российский физик, доктор физико-математических наук, профессор, член-корреспондент АН СССР (1990), член-корреспондент РАН (1991). Основатель и первый директор Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН (ИСВЧПЭ РАН), носящего теперь его имя
Лауреаты премий
За выдающиеся научные разработки в области проектирования и создания цифровых интегральных схем широкого применения десятки сотрудников института неоднократно становились лауреатами Государственных и премий СССР и России, премий Совета министров СССР и Правительства РФ, премий Ленинского комсомола, получали поощрения и благодарности от профильных министерств и ведомств за разработку и освоение изделий электронной техники.
Красников Г.Я. - за разработку полупроводниковых структур
с управляемыми и стабильными электрофизическими параметрами для современного микроэлектронного производства.
с управляемыми и стабильными электрофизическими параметрами для современного микроэлектронного производства.
Валиев К.А. – за создание Научного центра микроэлектроники
Ковалёв Р.А. – за участие в создании системы «Буран»
Ковалёв Р.А. – за участие в создании системы «Буран»
Хрусталев В.А. – разработка и внедрение технологии производства интегральных микросхем
Ячменев В.В. – разработка и внедрение технологии производства интегральных микросхем
Гончар В.К. – разработка и производство товаров культурно-бытового назначения
Евдокимов В.Л. – разработка и внедрение технологии производства интегральных микросхем
Литвак В.Н. – разработка и внедрение технологии производства интегральных микросхем
Просий А.Д. – разработка и внедрение технологии производства интегральных микросхем
Сулимин А.Д. – разработка и внедрение технологии производства интегральных микросхем
Фатькин А.А. – разработка и внедрение технологии производства интегральных микросхем
Ячменев В.В. – разработка и внедрение технологии производства интегральных микросхем
Гончар В.К. – разработка и производство товаров культурно-бытового назначения
Евдокимов В.Л. – разработка и внедрение технологии производства интегральных микросхем
Литвак В.Н. – разработка и внедрение технологии производства интегральных микросхем
Просий А.Д. – разработка и внедрение технологии производства интегральных микросхем
Сулимин А.Д. – разработка и внедрение технологии производства интегральных микросхем
Фатькин А.А. – разработка и внедрение технологии производства интегральных микросхем
- Авдеев Е.В. – создание САПР микросхем
- Казеннов Г.Г. – создание САПР микросхем
- Сафронов А.Я. – разработка и производство микросхем для ЕС ЭВМ
- Баталов Б.В. – создание САПР микросхем
- Контарёв В.Я. – разработка и производство микросхем для ЕС ЭВМ
- Стороженко Г.И. – создание САПР микросхем
- Горнев Е.С. – разработка и внедрение технологии производства эпитаксиальных структур
- Котко А.П. – создание САПР микросхем
- Терентьев С.П. – создание САПР микросхем
- Грибов Б.Г. – разработка и внедрение технологии производства эпитаксиальных структур
- Крамаренко О.Л. – разработка и производство микросхем для ЕС ЭВМ
- Федоренко Ю.С. – разработка транзистора КТ 315
- Любимов Е.С. – разработка и внедрение технологии производства эпитаксиальных структур
- Худяков К.И. – разработка и производство микросхем для ЕС ЭВМ
- Дубов Ю.Н. – разработка и производство микросхем для системы «Буран»
- Щавлев Н.И. – создание САПР микросхем
- Дьяков Ю.Н. – разработка и производство микросхем для ЕС ЭВМ
- Назарьян А.Р. (дважды) (создание комплекта технологического оборудования; разработка и производство микросхем для ЕС ЭВМ)
- Щемелинин В.М. – создание САПР микросхем
- Еремеев М.П. – разработка и производство микросхем для ЕС ЭВМ
- Щетинин Ю.И. – разработка и производство микросхем для ЕС
- Неклюдов В.А. – создание САПР микросхем
- Попов В.И. – разработка и производство микросхем для системы «Буран»
- Журавлёв Ю.Д. – разработка и производство микросхем для ЕС ЭВМ
- Плехов В.И. – разработка и производство микросхем для системы «Буран»
- Волк Ч.П. - за «Научные и технологические основы метрологического обеспечения измерений длины в микрометровом и нанометровом диапазонах и их внедрение в микроэлектронику и нанотехнологию»
- Плотников Ю.И. за «Научные и технологические основы метрологического обеспечения измерений длины в микрометровом и нанометровом диапазонах и их внедрение в микроэлектронику и нанотехнологию»
- Сапельников А.Н. – за разработку и создание новой техники
- Селецкий А.В. – за разработку и производство интегральных микросхем для экстремальных условий эксплуатации на базе отечественных субмикронных технологий
- Горнев Е.С. (дважды) – за «Научные и технологические основы метрологического обеспечения измерений длины в микрометровом и нанометровом диапазонах и их внедрение в микроэлектронику и нанотехнологию»; за разработку и создание новой техники
- Ранчин С.О. – за разработку и освоение серийного производства широкой номенклатуры микросхем для смарт-карт и радиочастотной идентификации на основе создания комплексных средств автоматизации проектирования и технологий изготовления современных интегральных схем с встроенной энергонезависимой памятью
- Шелепов В.В. – за разработку и освоение серийного производства широкой номенклатуры микросхем для смарт-карт и радиочастотной идентификации на основе создания комплексных средств автоматизации проектирования и технологий изготовления современных интегральных схем с встроенной энергонезависимой памятью
- Кравченко Л.Н. – за разработку и создание новой техники
- Игнатов П.В. – за разработку и освоение серийного производства широкой номенклатуры микросхем для смарт-карт и радиочастотной идентификации на основе создания комплексных средств автоматизации проектирования и технологий изготовления современных интегральных схем с встроенной энергонезависимой памятью
- Красников Г.Я. (трижды) – за разработку и создание новой техники; за разработку и применение нового поколения микроэлектронных устройств, систем связи и управления мобильными комплексами ПВО и особо важными объектами; за разработку и создание новой техники
- Озерин Ю.В. – за «Научные и технологические основы метрологического обеспечения измерений длины в микрометровом и нанометровом диапазонах и их внедрение в микроэлектронику и нанотехнологию»
- Шипицин Д.С. – за разработку и производство интегральных микросхем для экстремальных условий эксплуатации на базе отечественных субмикронных технологий
- Кравцов А.С. (дважды) – за разработку и освоение серийного производства широкой номенклатуры микросхем для смарт-карт и радиочастотной идентификации на основе создания комплексных средств автоматизации проектирования и технологий изготовления современных интегральных схем с встроенной энергонезависимой памятью; – за разработку и производство интегральных микросхем для экстремальных условий эксплуатации на базе отечественных субмикронных технологий
- Лавренов А.Ю. – за разработку и создание новой техники
- Шелепин Н.А. (трижды) – за разработку и освоение серийного производства широкой номенклатуры микросхем для смарт-карт и радиочастотной идентификации на основе создания комплексных средств автоматизации проектирования и технологий изготовления современных интегральных схем с встроенной энергонезависимой памятью
- Щербаков Н.А. – за разработку и освоение серийного производства широкой номенклатуры микросхем для смарт-карт и радиочастотной идентификации на основе создания комплексных средств автоматизации проектирования и технологий изготовления современных интегральных схем с встроенной энергонезависимой памятью
- Мытник К.Я. – за разработку и освоение серийного производства широкой номенклатуры микросхем для смарт-карт и радиочастотной идентификации на основе создания комплексных средств автоматизации проектирования и технологий изготовления современных интегральных схем с встроенной энергонезависимой памятью
- Смирнов А.Н. – за разработку и создание новой техники
- Панасюк В.Н. – за внедрение и обеспечение высокого качества продукции
- Панасенко П.В. – за разработку и создание новой техники
- Эннс В.И. – за разработку и создание новой техники
за разработку интегральных микросхем и технологий их производства
| Беляков Ю.Н. | Винокуров Н.И. | Гусаков В.М. |
|
Дракин К.А. |
Дольников С.С |
Дягилев В.Н. |
| Лебедев В.В. |
Луканов Н.М. |
Матюхин Л.М. |
|
Немудров В.Г. |
Одиноков А.И. |
Перервин В.Н. |
|
Самойлов В.Б. |
Самсонов Н.С. | Сидоренко В.С. |
воспоминания ветеранов
Завыдающиеся научные разработки в области проектирования и создания цифровы хинтегральных схем широкого применения десятки сотрудников институтанеоднократно становились лауреатами
Владимир Алексеевич Неклюдов
Владимир Алексеевич Неклюдов, заместитель начальника отдела по разработке ИМС специального назначения отдела разработки схем для источников питания
«Для меня НИИМЭ – это жизнь»
Горнев Евгений Сергеевич
член-корреспондент РАН, доктор технических наук, профессор, заместитель руководителя приоритетного технологического направления по электронным технологиям АО НИИМЭ, заместитель заведующего базовой кафедры микро- и наноэлектроники МФТИ
корпоративная газета
Юбилейная почта
Правительство Российской Федерации
Уважаемые коллеги!
Примите искренние поздравления в связи с 60-летним юбилеем Научно-исследовательского институт молекулярной электроники (АО «НИИМЭ»).
Роль института в истории отечественных передовых технологий трудно переоценить. Во многом благодаря внедрению разработанных коллективом инновационных решений и микроэлектронных изделий сегодня функционируют и успешно развиваются ключевые направления промышленности страны.
Созданная в АО «НИИМЭ» научная школа и высокий профессиональный уровень его сотрудников позволяют институту не только оставаться общепризнанным центром компетенций в области микроэлектроники, но и успешно реализовывать новые значимые технологические проекты и передовые разработки.
Желаю коллективу АО «НИИМЭ» дальнейших трудовых успехов и процветания на благо российской науки и техники!
Заместитель Председателя Правительства Российской Федерации – Министр промышленности и торговли Российской Федерации
Д. Мантуров
В. В. Шпак
Заместитель министра промышленности и торговли
От имени Министерства промышленности и торговли и от себя лично спешу поздравить коллектив Научно-исследовательского института молекулярной электроники с этой славной датой – с 60-летним юбилеем.
Весь творческий путь коллектива овеян серьезными достижениями, большими научными победами, свершениями, которые позволили нашей стране собрать серьезный научный потенциал. Сегодня, в непростое время, благодаря вашей слаженной и четкой работе мы в состоянии ответить на любые внешние вызовы. Впереди предстоит еще очень много дел. Работа, которой вы занимаетесь, сегодня как никогда важна для страны.
Поэтому еще раз от себя лично и от имени Министерства желаю вам силы, здоровья, уверенности в себе, счастья , добра и света. Пусть этот весенний день наполнит вас хорошим настроением.
Еще раз с праздником вас!
Всегда ваш, Василий Шпак
Госкорпорация Роскосмос
Глубокоуважаемый Геннадий Яковлевич!
От лица госкорпорации "Роскосмос" и от себя лично сердечно поздравляю Вас и весь коллектив Научно-исследовательского института молекулярной электроники с юбилеем.
Вклад НИИМЭ в развитие отечественной микроэлектроники колоссален. На протяжении десятилетий институт является одним из ключевых звеньев промышленности, обеспечивая качественной и надежной продукцией как гражданских потребителей, так и заказчиков, решающих задачи обороны государства.
Отдельного упоминания достойна работа вашего института на благо развития отечественной космонавтики: разработанные в стенах НИИМЭ изделия шагнули далеко за пределы планеты, будучи примененными в составе межпланетных космических аппаратов.
ГК "Элемент"
Дорогие коллеги!
Поздравляю АО «НИИМЭ» с 60-летним юбилеем!
Научно-исследовательский институт молекулярной электроники проделал огромный путь, став ведущим российским центром в области микро- и наноэлектроники. Сегодняшний успех предприятия – заслуга высокого профессионализма и уникальной экспертизы работающего там коллектива.
Выражаю искреннюю благодарность каждому из сотрудников и ветеранов за ваш доблестный труд и созидательную энергию – за неоценимый вклад в развитие отрасли. Вместе мы строим прочную основу технологического суверенитета нашей страны!
От лица Группы компаний «Элемент» примите самые искренние поздравления с Юбилеем!
Нам уже есть, чем гордиться, пускай предстоящие годы будут еще более успешными и великими!
Президент ГК «Элемент», Председатель Совета директоров АО «НИИМЭ»
Иванцов И.Г.
Александр Балашов
проректор по международной деятельности и работе с молодёжью Национального исследовательского университета «МИЭТ»
Государственная корпорация «Ростех»
Примите самые искренние поздравления с 60-летием образования НИИ молекулярной электроники!
Основанный в 1964 году, НИИМЭ стал первым в нашей стране разработчиком монолитных интегральных систем. За время плодотворной деятельности институт накопил большой опыт 6 области создания перспективных электронных технологий и изделий, внёс значимый вклад в отечественную микроэлектронную отрасль.
Основанный в 1964 году, НИИМЭ стал первым в нашей стране разработчиком монолитных интегральных систем. За время плодотворной деятельности институт накопил большой опыт 6 области создания перспективных электронных технологий и изделий, внёс значимый вклад в отечественную микроэлектронную отрасль.
Роман Куликов
директор Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова НИУ «МЭИ»
Татьяна Семенова
ОЭЗ «Технополис Москва»
Заместитель генерального директора по коммуникациям